UV SCAN 100
手套箱相容紫外雷射直寫系統
系統可用於微奈米結構的高精度圖形加工，實現亞微米級解析度與高精度定位能力。兼具大面積圖形加工能力與亞微米級精度保證。應用於微型顯示晶片等光電元件的研發，以及鈣鈦礦等氛圍敏感材料的測試場景，其超緊湊體積可實現手套箱恆定氛圍內使用。
透過專用軟體完成微奈米結構設計，系統自動將圖形數據轉換為控制指令，簡化列印流程。
雷射光束沿預設路徑執行高速、高精度的逐點掃描曝光，實現亞微米級解析度的穩定控制。
The laser beam executes high-speed, high-precision point-by-point scanning exposure along the predefined path, delivering stable sub-micron resolution control.
設備體積小巧，可靈活置入手套箱內，在恆定氛圍環境中穩定運作，滿足鈣鈦礦等氛圍敏感材料的研發與測試需求。
頂尖硬體配置・高度國產化：採用國產高性能光學元件與自主研發高精度光學系統，配合奈米級精密運動平台，奠定卓越精度基礎。
極致精度指標：最小線寬可達 0.25 μm，接近物理繞射極限。
無掩模數位化流程：無需製作昂貴的物理掩模版，設計修改僅需更新數位檔案。
快速原型驗證：無論是複雜電路還是精細微奈米結構，均可靈活適配，實現從概念設計到原型樣本的快速轉化，顯著縮短研發週期、降低研發成本。
高效參數篩選：支援梯度功率與焦點偏移曝光參數陣列，一次曝光即可快速鎖定最佳製程參數。
一鍵式自動化流程：整合一鍵上樣、自動對焦、自動對準與自動曝光等功能，顯著提升列印效率，降低維護成本。
人性化互動介面：操作邏輯清晰直觀，降低學習成本。
UV SCAN 100 具備極高的解析度與製造效率，以下是其關鍵性能參數與適用領域。
| 应用 | 双光子聚合平台打印技术 |
|---|---|
| 最小特征尺寸XY | 250 nm |
| 最小等间距线栅 | 560 nm |
| 列印速率 | 18 mm²/h |
| 曝光面积 | ≥ 0.25 mm² x 0.25 mm² （单次加工范围，支持拼接实现更大图形） |
| 相邻曝光区域拼接误差 | ≤ 150 nm |
| 样品台XY双向重复定位精度 | ≤ 120 nm |
| 最小移动步距 | ≤ 50 nm |
| 打印范围(XY) | 48 x 48 mm² |
| 基底类型 | 载玻片/圆晶片 |
| 基片厚度 | 0 - 4.5 mm |
| 样品尺寸 | 5 x 5 mm² to 48 x 48 mm² (可按需求定制) |
| 隔振(可选) | 平台尺寸 ≥ 400 x 30 mm; 带宽1~200 Hz 效率 >90% @ 5 Hz，90%~99% @10 Hz |
| 光源 | 405 nm |
| 长 x 宽 x 高 (仅限光刻单元) | 463 x 160 x 535 mm³ |
| 重量 (仅限光刻单元) | 12 kg（背包级） |
| 供电 | 230 VAC ±5 %, 50/60 Hz, 16 A |
微奈米材料與元件原型製備
適用於量子點、功能性薄膜、微電極及微奈米光電元件樣品的高解析度圖形化加工。
光學與繞射功能結構
適用於繞射光學元件（DOE）、週期／非週期微結構、功能性表面紋理及微光學原型的高精度製備。
科研樣品快速製備與製程驗證
面向大專院校、科研機構及企業研發部門，支援微奈米結構樣品的快速製備、參數優化與實驗驗證。
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